买卖IC网 >> 产品目录 >> TPC8A02-H(TE12L,Q) MOSFET MOSFET N-Ch SBD 30V 16A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

TPC8A02-H(TE12L,Q)

库存数量：可订货
制造商：Toshiba
描述：MOSFET MOSFET N-Ch SBD 30V 16A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-Ch SBD 30V 16A
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制造商 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 16 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.0056 Ohms
配置 Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOP-8
封装 Reel
相关资料
属性
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代理商 TPC8A02-H(TE12L,Q)
TPC8A02-H(TE12LQM)
TPC8A03
TPC8A03-H
TPC8A03-H(TE12LQM)
TPC8A03-H.
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  • TPC8A02-H(TE12L,Q) 参考价格
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